美國氮化鎵（GaN）功率半導體新創 Navitas Semiconductor（Nasdaq: NVTS）宣布，與晶圓代工巨擘 GlobalFoundries（GF）合作生產的最新第五代 GaNFast™ 功率元件，首批晶圓將於 2026 年 9 月正式出貨，內部樣品 10 月跟進，策略客戶樣品年底前到位。
這項合作源於雙方 2025 年 11 月簽署的長期戰略夥伴協議，Navitas 將其專利的 Gen 5 GaNFast FET 與功率 IC 技術，移植至 GF 位於佛蒙特州伯靈頓（Burlington）的 200mm GaN-on-Si 產線。
首批產品線鎖定 650V 高壓 GaN FET，提供 RDS(ON) 11mΩ、18mΩ、50mΩ、120mΩ 及 150mΩ 共五種規格，全面對應 AI 資料中心、高效能運算、工業電氣化及國防安全等高階應用場景。Navitas 擁有逾 300 項寬能隙專利，是全球首家獲得 CarbonNeutral® 認證的半導體公司，其 GaNFast IC 整合功率、驅動、控制、感測與保護五大功能於單一晶片。
表面上是兩家企業的商業合作，實則是美國在 AI 時代鞏固「電力霸權」的戰略縮影。AI 資料中心對高效能電源轉換的渴求，正將功率半導體從配角推上舞台中央。
這場競賽的核心矛盾，在於誰能掌握「寬能隙半導體」（Wide-Bandgap, WBG）的下一個典範轉移——從矽基走向氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）。傳統矽元件已逼近物理極限，在高頻高壓應用上力不從心；而 GaN 的高效率（能源轉換效率提升 4% 至 10% 以上）、高頻特性（開關速度提升 10 至 100 倍）、小體積優勢，正是 AI 機房縮減占地面積與散熱成本的關鍵解方。
從地緣政治角度觀察，此案是美國 CHIPS 法案的延伸戰線。中國正透過大量補貼與國家資本扶植本土 GaN 業者（如 Innoscience 聞泰科技旗下），企圖複製其在太陽能與電動車電池的成功模式。若美國無法在 GaN 領域建立「可信賴的本土供應鏈」，AI 基礎建設的電力命脈將暴露於地緣風險之下。Navitas 與 GF 的合作，正是以「美國設計＋美國製造」封堵此一戰略缺口。
最大受益者呈現三方分贏格局：
戰略貿易流向與供應鏈依賴度
HS 8542資料來源：UN Comtrade 聯合國商品貿易統計庫 · 全球市場規模 $5,800 億美元 / 年
回顧半導體產業史，從矽到 GaN 的典範轉移，可類比 1990 年代 CMOS 取代 bipolar 的關鍵十年——當時掌握先機的德州儀器、英飛凌如今仍是功率元件巨頭。今日的 Navitas-GF 結盟，正試圖重演此路徑。
面對 GaN 國產化的歷史性拐點，產學研界與投資人應採差異化戰略：
01 起因觸發：Navitas 與 GlobalFoundries 2025 年 11 月簽署長期戰略合作協議，啟動 Gen 5 GaNFast 在佛蒙特州伯靈頓廠的美國本土化生產
02 一階傳導：AI 資料中心電源供應鏈獲得「美國製造」標籤認證，AI 伺服器 PSU、UPS、高壓直流（HVDC）模組廠商加速 GaN 導入驗證
03 二階擴散：全球 GaN 競爭格局重組，中國 Innoscience、英諾賽科面臨「信任溢價」劣勢；歐洲車用 GaN 業者（如 STMicro）被迫加速歐美雙軌佈局
04 宏觀終局：美國 CHIPS 法案投資效益兌現，半導體國產化從晶片設計延伸至功率元件，AI 基礎建設供應鏈全面「去風險化」，形成美中兩套獨立的寬能隙生態系
因果網路圖譜 1 節點
可拖曳節點 · 點兩下開啟文章